GD80+P 全自動(dòng)高速固晶機(jī) | |||||||||
固晶周期 | ≥36ms UPHmax: 90K/h (實(shí)際產(chǎn)能取決于晶片與支架尺寸及制程工藝要求) | ||||||||
固晶位置精度 | ±25.4um | ||||||||
芯片角度精度 | ±3° | ||||||||
芯片尺寸 | 3*3-60*60mil | ||||||||
適用支架尺寸 | L:100-170mm W:30-75mm | ||||||||
設(shè)備外型尺寸(L*W*H) | 1550(正面長)*946(側(cè)面縱深)*2005(高度)mm |
GD80+P 全自動(dòng)高速固晶機(jī) | |||||||||
固晶周期 | ≥36ms UPHmax: 90K/h (實(shí)際產(chǎn)能取決于晶片與支架尺寸及制程工藝要求) | ||||||||
固晶位置精度 | ±25.4um | ||||||||
芯片角度精度 | ±3° | ||||||||
芯片尺寸 | 3*3-60*60mil | ||||||||
適用支架尺寸 | L:100-170mm W:30-75mm | ||||||||
設(shè)備外型尺寸(L*W*H) | 1550(正面長)*946(側(cè)面縱深)*2005(高度)mm |